Gelsinger称HBM是糟糕内存，预警缺电违约潮

前英特尔CEO Pat Gelsinger在a16z播客访谈中称，当下是硬件创新的"黄金时代"，并直言"HBM是一种极其糟糕的内存"，预判30年来首次重大存储材料创新已近在眼前。 他警告"能源容量即经济产能"，缺电将引发数据中心项目违约潮，并预判铜向光的迁移将在2028-2029年迎来拐点。

AI 根据报道生成 · 2 天前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。